Samsung opracował szybką pamięć LLW DRAM
Samsung opracowuje nowy typ pamięci o nazwie Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, donosi Tom’s Hardware. Pamięć ta charakteryzuje się wysoką przepustowością, minimalnymi opóźnieniami i niskim zużyciem energii. Według Samsunga, LLW DRAM jest idealna dla systemów sztucznej inteligencji opartych na dużych modelach językowych (LLM). Nowa pamięć oferuje wysokie możliwości I/O, niskie opóźnienia i przepustowość 128 […]